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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UT
10,000
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T A = 150°C
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T A = 150°C
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T A = 125°C
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T A = 125°C
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T A = 85°C
T A = 25°C
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-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
100,000
1,000
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.12 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
f = 1MHz
10,000
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
100
C iss
100
T A = 85°C
C oss
10
T A = -55°C
T A = 25°C
10
C rss
1
0.1
0
2 4 6 8
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
8
7
6
5
4
3
2
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.13 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 14 Typical Junction Capacitance
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 15 Gate-Charge Characteristics
DMP21D0UT
D atasheet Number: DS35297 Rev. 2 - 2
5 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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相关PDF资料
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DMP2240UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
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DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1
DMP21D5UFB4-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D5UFD-7 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2215L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2215L-7 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225LQ-7 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage